世界首发!三星研发出 10nm FinFET 製程的 SRAM

浏览次数:158发布时间:2020-06-15 02:35:59文章分类: F生活妝

世界首发!三星研发出 10nm FinFET 製程的 SRAM

据南韩媒体最新报导,三星半导体目前已经研发出了世界上第一颗基于 10nm FinFET 製程的 SRAM。其实 IBM 半导体联盟早在今年 7 月就製造了世界首个 10nm 的晶圆,但由于 10nm 製程的技术难题,各大半导体厂家都相继延后了它们的 10nm 製程计画。

世界首发!三星研发出 10nm FinFET 製程的 SRAM

所谓的 SRAM 中文译名是静态随机存取记忆体,大多数用于 CPU 快取记忆体,基于 10nm 的 SRAM 相比于 14nm 而言,其面积可减少 30% 左右,这意味将一定程度的降低 CPU 的功耗以及发热,同时能以更小的面积塞进更多记忆体,提高 CPU 的性能。

就目前各家的 10nm 进展而言,IBM 的商用 10nm 製程最快也要 2018 年才面世,Intel 的 10nm 也延后到 2017 年,台积电方面曾宣布将在 2017 年第一季量产 10nm CPU,而根据三星目前的计画以及进展,10nm 的量产 CPU 最快可在 2016 年底达成,也许 Galaxy S8 还能赶上 10nm SoC 的首发呢。